低电压、低功耗CMOS基准电压源的设计

作     者：蔡敏 舒俊 Cai Min;Shu Jun

作者机构：华南理工大学电子与信息学院广东广州510640 

出 版 物：《华南理工大学学报（自然科学版）》 (Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition))

年 卷 期：2008年第36卷第9期

页      面：128-131页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：基准电压源 功耗 电源电压抑制比 亚阂值 

摘      要：为了有效降低模拟集成电路的功耗，提高工艺兼容性，文中提出了一种全CMOS结构的低电压、低功耗基准电压源的设计方法．该方法基于工作在亚阈值区的MOS管，利用胛AT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比．仿真结果表明：在1．0V的电源电压下，输出基准电压为609mV，温度系数为46×10^-6／K，静态工作电流仅为1．23μA；在1．0～5．0V的电源电压变化范围内，电压灵敏度为130μV／V，低频电源电压抑制比为74．0dB．由于使用了无寄生双极型晶体管的全CMOS结构，该电路具有良好的CMOS工艺兼容性．