非晶硅/晶体硅异质结太阳电池计算机模拟

作     者：胡志华 廖显伯 刁宏伟 曾湘波 徐艳月 张世斌 孔光临 

作者机构：中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心表面物理国家重点实验室北京100083 云南师范大学太阳能研究所昆明650092 中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心表面物理国家重点实验室北京100083 

出 版 物：《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)

年 卷 期：2003年第24卷第Z1期

页      面：9-13页

核心收录：

学科分类：080703[工学-动力机械及工程] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 

基　　金：国家重点基础研究发展规划(973)资助项目(G2000028201) 

主　　题：太阳电池 a-Si:H/c-Si异质结 计算机模拟 

摘      要：运用AMPS程序模拟计算了p-型非晶硅/n-型晶体硅HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)异质结太阳电池的光伏特性.通过对不同带边补偿情况下的计算结果同文献报道相比较,得出导带补偿小部分(0.18eV),价带补偿大部分(0.5eV)的基本结论.同时还证实,界面态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(Voc)和填充因子(FF).最后计算了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论效率Eff=27%(AM1.5 100MW/cm2 0.40～1.10μm波段).