高功率纳秒级激光二极管高侧驱动电路

作     者：金明泽 王臣 朱福 杨信诚 李智冰 赵晓琛 何伟基 张闻文 JIN Ming-ze;WANG Chen;ZHU Fu;YANG Xing-cheng;LI Zhi-bing;ZHAO Xiao-chen;HE Wei-ji;ZHANG Wen-wen

作者机构：南京理工大学电子工程与光电技术学院江苏南京210094 

出 版 物：《激光与红外》 (Laser & Infrared)

年 卷 期：2024年第54卷第2期

页      面：171-178页

学科分类：080904[工学-电磁场与微波技术] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0810[工学-信息与通信工程] 081105[工学-导航、制导与控制] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 081001[工学-通信与信息系统] 081002[工学-信号与信息处理] 0825[工学-航空宇航科学与技术] 0803[工学-光学工程] 0811[工学-控制科学与工程] 

主　　题：纳秒级 高功率 激光发射 高侧栅极驱动 共阴极 高重复率 

摘      要：纳秒级高功率的激光发射系统对激光雷达的探测性能产生重要影响。本文对普遍使用的激光二极管低侧栅极驱动电路进行修改得到高侧栅极驱动方式,使之能够适用于共阴极激光发射电路。该高侧驱动方式采用了一个半桥驱动器,两个GaN FET作为核心器件来控制激光二极管的发光。文中分析了该拓扑结构中电压、电容、电阻、电感等因素对流经激光器电流波形的影响。经过实验测试,在高重复频率下该电路能够产生3.1 ns脉冲宽度,约65 W的峰值功率,能够作为激光雷达的发射模块对场景进行扫描成像。