薄膜铌酸锂低串扰交叉波导
作者机构：中国科学技术大学物理学院 中国科学院上海光学精密机械研究所空天激光技术与系统部启光创新中心 中国科学院大学材料科学与光电工程中心
出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)
年 卷 期：2024年第14期
页 面：263-271页
核心收录：
学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金(62305354) 上海扬帆计划(23YF1454100)
摘 要：随着绝缘体上铌酸锂（LNOI）平台集成器件的增加，实现大规模集成变得尤为重要。低串扰和低损耗的多通道交叉波导可以大大减少波导连接的面积，从而提高集成密度和路由的灵活性。利用铌酸锂的各向异性，设计了基于自成像原理的不同尺寸的2×2交叉波导。该交叉波导基于X切LNOI，制造出的器件在C波段的串扰分别小于-33.31 dB(Y传方向)和-30.81 dB(Z传方向)，插入损耗最小分别为0.094 dB(Y传方向)和0.356 dB(Z传方向)。
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