聚对苯二酚修饰玻碳电极的制备及其对抗坏血酸的催化氧化作用

作     者：陈贤光 王壬 赵国芳 邹小勇 Chen Xianguang;Wang Ren;Zhao Guofang;Zou Xiaoyong

作者机构：中山大学化学与化学工程学院 中山大学化学与化学工程学院 广州510275 

出 版 物：《分析化学》 (Chinese Journal of Analytical Chemistry)

年 卷 期：2006年第34卷第8期

页      面：1063-1067页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 070302[理学-分析化学] 0703[理学-化学] 

基　　金：国家自然科学基金(No.20475068,No.20575082) 广东省自然科学基金(No.031577) 广东省科技计划项目(引导)(No.2005B30101003) 中山大学学生科研基金资助项目 

主　　题：对苯二酚 化学修饰电极 抗坏血酸 电催化氧化 

摘      要：采用循环伏安（CV）法制备了聚对苯二酚薄膜修饰玻碳电极,利用其电催化氧化作用建立了抗坏血酸的定量分析方法,探讨了其催化氧化机理。研究发现:在0.2 mol/L Na2HPO4-NaH2PO4（PBS,pH 7.0）缓冲溶液中,以0.1 mol/L KC l作支持电解质,聚对苯二酚修饰电极（PHQ/CME）对抗坏血酸（AA）存在灵敏的催化氧化作用,氧化峰电位负移177 mV。应用微分脉冲伏安法（DPV）对AA进行定量分析,其氧化峰电流与AA浓度在3.3×10-5;.7×10-2mol/L和1.7×10-2;.2×10-1mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为3.3×10-6mol/L。机理研究结果表明:PHQ/CME上带有的酚羟基与脱氢抗坏血酸自由基之间形成的氢键是电催化氧化的主要原因。