在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变

作     者：王元樟 陈路 巫艳 吴俊 于梅芳 方维政 何力 WANG Yuan-Zhang;CHEN Lu;WU Yan;WU Jun;YU Mei-Fang;FANG Wei-zheng;HE Li

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2005年第34卷第4期

页      面：729-733页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(No.60221502) 中国科学院上海技术物理所创新项目资助 

主　　题：CdTe/GaAs CdTe/Si 热应变 高分辨率多重晶多重反射X射线衍射 分子束外延 

摘      要：本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析。研究显示,对于一定厚度的CdTe外延薄膜,在从生长温度280℃降至室温20℃的过程中,由于和衬底存在热膨胀系数的差异,将在外延薄膜中产生热应力,使外延薄膜发生应变,并且这种应变取代了失配应变,在晶格畸变中占据主导地位。对于Si衬底,热应变表现为张应力;对于GaAs衬底,热应变表现为压应力。该研究结果对于进一步优化在大失配的异质衬底上外延同Hg1-xCdxTe材料晶格匹配的Cd1-yZnyTe材料的Zn组分具有指导意义。