Sub-6 GHz GaAs pHEMT高功率吸收型单刀双掷开关

作     者：陈梓雅 张志浩 周杰海 李玮鑫 章国豪 CHEN Ziya;ZHANG Zhihao;ZHOU Jiehai;LI Weixin;ZHANG Guohao

作者机构：广东工业大学集成电路学院广州510006 河源广工大协同创新研究院广东河源517000 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2024年第44卷第1期

页      面：39-44页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金资助(61974035) 广东省“珠江人才计划”本土创新科研团队(2017BT01X168) 5G通信微基站用的高性能射频功率放大器芯片的研发及产业化(202009030006) 

主　　题：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 吸收型开关 高功率 高隔离 阻抗匹配 

摘      要：基于0.5μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计了一款高功率吸收型单刀双掷开关芯片。芯片采用堆叠技术和前馈电容技术来提高功率容量和线性度。通过在传统串并联结构的输出端口引入串并联阻容匹配网络,实现了芯片在导通和关断状态下的良好端口匹配。该开关芯片的尺寸为0.82 mm×0.37 mm。实测结果显示,在0.7~6.0 GHz的工作频段内,该开关实现了低于1.1 dB的插入损耗、高于36 dB的隔离度、优于15 dB的通路回波损耗和优于10 dB的断路回波损耗。此外,0.1 dB功率压缩点在1、2、4和6 GHz时,均约40 dBm。