三结砷化镓太阳能电池外延层表面抛光技术研究
Study on Surface Polishing Technology of Epitaxial Layer of Three-Junction Gallium Arsenide Solar Cell作者机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300022
出 版 物：《天津科技》 (Tianjin Science & Technology)
年 卷 期：2024年第51卷第2期
页 面：33-36页
学科分类：12[管理学] 1201[管理学-管理科学与工程(可授管理学、工学学位)]
主 题：三结砷化镓 外延层表面 化学机械抛光 抛光压力 抛光转速 有效氯含量
摘 要：以空间用三结砷化镓(GaAs)电池外延表面抛光为研究对象,对抛光压力、抛光转速、抛光液pH等参数进行试验研究。研究结果表明:选用抛光压力40 g/cm^(3),采用55 r/min的转速,有效氯含量为5%的抛光液,对三结砷化镓太阳能电池外延表面有良好的抛光效果,可得到良好的表面颗粒度,即表面粗糙度小于0.4 nm、颗粒粒径大于0.2μm(含0.2/μm)的数量低于50个,颗粒粒径小于0.2μm的数量低于100个的外延片表面,为键合技术用于三结砷化镓太阳能电池的批量生产提供了可能。
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