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含丙二醇的复合有机抑制剂应用于TSV镀铜工艺的研究

Study on application of a propylene glycol-containing organic composite inhibitor in copper electroplating of through-silicon via

作     者:史筱超 于仙仙 王溯 SHI Xiaochao;YU Xianxian;WANG Su

作者机构:上海市集成电路关键工艺材料重点实验室上海201616 上海新阳半导体材料股份有限公司上海201616 

出 版 物:《电镀与涂饰》 (Electroplating & Finishing)

年 卷 期:2024年第43卷第1期

页      面:43-49页

学科分类:081702[工学-化学工艺] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 

主  题:硅通孔 电镀铜 丙二醇 有机抑制剂 自下而上填充 

摘      要:[目的]硅通孔(TSV)电镀铜填充一般采用PEG(聚乙二醇)类有机化合物抑制剂,但往往存在电镀时间长、易产生空洞、面铜较厚、退火后晶界间缺陷多等问题。[方法]开发了一种新型含丙二醇的复合有机抑制剂,研究了采用它时的TSV填充模式,退火后孔内镀层的结晶状态,以及镀层的杂质含量。[结果]该抑制剂对TSV的填充效果明显优于传统抑制剂,与小分子含硫化合物加速剂复配使用时可实现“自下而上的均匀填充,且面铜平整,无微孔、气泡等缺陷存在。[结论]该复合有机抑制剂具有很好的工业化应用潜力。

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