基于等离子体超材料局部场调控特性的低频吸波材料设计方法

作     者：王振旭 王甲富 熊鑫蒙 富新民 丁畅 韩亚娟 孙杉 WANG Zhenxu;WANG Jiafu;XIONG Xinmeng;FU Xinmin;DING Chang;HAN Yajuan;SUN Shan

作者机构：空军工程大学基础部西安710051 苏州实验室西安710051 93160部队北京100072 

出 版 物：《空军工程大学学报》 (Journal of Air Force Engineering University)

年 卷 期：2024年第25卷第1期

页      面：11-16页

学科分类：0810[工学-信息与通信工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 081001[工学-通信与信息系统] 

基　　金：国家自然科学基金重点项目(U21A20428) 

主　　题：低频吸波 等离子体超材料 局部场调控 

摘      要：实现低频段雷达波的高性能吸收,通常需要增大磁性吸波材料(MAs)的厚度,这无疑会增加吸波材料的重量,制约实际应用潜能。对此,本文我们提出了基于等离子体超材料(PM)调控传统磁性吸波材料内部磁场的方法,利用金属短线调控磁场分布的特性,通过增强其与底层金属底板之间整个局部空间的磁场强度,在其中加入传统磁性吸波材料后,就能有效提升传统磁性吸波材料的吸波性能,进而使整体结构在其工作频段都具有较强的吸波性能。仿真和实验结果表明:垂直入射时,所设计的吸波超材料可在0.9~2.2 GHz频段内实现高效吸收,入射角逐渐增大到60°时,90%的吸收带宽仍可以达到0.73~3.12 GHz。该设计方法在雷达隐身、电磁兼容和通信等领域都具有较大的潜在应用。