电子元器件金铝键合失效分析研究

作     者：高若源 裴选 席善斌 王伟 高东阳 彭浩 黄杰 GAO Ruoyuan;PEI Xuan;XI Shanbin;WANG Wei;GAO Dongyang;PENG Hao;HUANG Jie

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051 国家半导体器件质量检验检测中心河北石家庄050051 

出 版 物：《电子产品可靠性与环境试验》 (Electronic Product Reliability and Environmental Testing)

年 卷 期：2023年第41卷第6期

页      面：74-78页

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

主　　题：金铝键合 金铝化合物 失效分析 可靠性 柯肯德尔 

摘      要：金铝键合失效是电子元器件常见的失效模式之一。对某型号射频芯片和检波器两例产品开展了失效分析研究。结果表明,一例失效产品出现了键合丝脱落的情况,一例失效产品出现了键合拉力几乎为零的情况,这是由于铝焊盘与金键合丝之间形成了金铝间化合物,金铝间化合物电阻率较高,使得键合强度降低或键合脱开,最终导致产品失效。研究了金铝化合物的失效机理,借助扫描电子显微镜对金铝化合物形貌及元素进行了分析,最后对金铝化合物所导致的失效提出了预防和改进措施,对于提高电子元器件的可靠性具有一定的借鉴意义。