安防用红外LED的性能和可靠性

作     者：郑智斌 

作者机构：厦门华联电子有限公司福建厦门361008 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2014年第39卷第2期

页      面：154-158页

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

主　　题：红外LED 辐射功率 功率退化 应力 热阻 

摘      要：安防用红外发光二极管(LED)要求具有更高的辐射功率和更低的功率退化。通过比较不同红外LED芯片材料的性能,设计选用850 nm GaAlAs芯片,以满足安防用红外LED的性能要求。封装材料的应力和热阻是影响红外LED功率退化的两个因素。试验证明通过采用硅胶包封芯片,降低了环氧树脂封装所带来的应力,可使Lamp型红外LED功率退化由18%降为6%。通过计算得出铁支架Lamp型、铜支架Lamp型和大功率三种红外LED的热阻分别为483.8,173.1和6.7℃/W,经通电1 000 h试验后功率退化分别为18%,10%和0,证明采用高导热材料,能够提高器件的散热能力,降低芯片结温,有效减少辐射功率退化现象。