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硅表面直接生长十八烷基硅烷小分子自组装单层抗蚀剂的亚稳态氦原子光刻技术

Metastable helium atom beam lithography with octadecyltrichlorosilane self-assembled monolayer resister grown directly on silicon surface

作     者:王中平 张增明 仓桥光纪 铃木拓 丁泽军 山内泰 WANG Zhong-ping;ZHANG Zeng-ming;KURAHASHI Mitsunori;SUZUKI Taku;DING Ze-jun;YAMAUCHI Yasushi

作者机构:中国科学技术大学物理实验教学中心安徽合肥230026 国家材料科学研究所(NIMS) 中国科学技术大学物理系安徽合肥230026 

出 版 物:《电子显微学报》 (Journal of Chinese Electron Microscopy Society)

年 卷 期:2010年第29卷第2期

页      面:123-128页

核心收录:

学科分类:08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:国家自然科学基金面上项目(10874160) 

主  题:原子光刻 掩模 自组装单分子层 

摘      要:选取不同尺寸和形状的物理掩模,以硅表面直接生长的十八烷基硅烷小分子自组装单分子层作为抗蚀剂,硅(100)为衬底,亚稳态氦原子作为曝光源,利用湿法化学刻蚀方法在衬底上制备具有纳米尺寸分辨率的硅结构图形。基于扫描电子显微镜、原子力显微镜的表征结果表明:原子光刻技术可以把具有纳米尺度分辨率的正负图形通过化学湿法刻蚀技术很好地传递到硅片衬底上,特征边缘分辨率达到20nm左右,具有较高的可信度和可重复性。正负图形相互转化的临界曝光原子剂量约为5×1014atomscm-2,曝光时间约为20min。

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