CHF3双频电容耦合放电等离子体特性研究

作     者：胡佳 徐轶君 叶超 Hu Jia;Xu Yi-Jun;Ye Chao

作者机构：苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料重点实验室苏州215006 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2010年第59卷第4期

页      面：2661-2665页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10575074 10975105 10635010)资助的课题~~ 

主　　题：双频电容耦合放电 CHF3等离子体 

摘      要：研究了用于SiCOH低介电常数薄膜刻蚀的CHF3气体在13.56MHz/2MHz,27.12MHz/2MHz和60MHz/2MHz双频电容耦合放电时的等离子体性质.发现2MHz低频源功率的增大主要导致F基团密度的增大;而高频频率从13.56,27.12增大到60MHz,导致CF2基团的密度增大和电极之间F基团密度的轴向空间不均匀性增加.根据电子温度的分布规律及离子能量随高频源频率的变化关系,提出CF2基团的产生主要通过电子-中性气体碰撞,而F基团的产生是离子-中性气体碰撞的结果.