高吸收锗硅酸盐掺铋光纤及其增益性能研究

作     者：刘少坤 何乐 殷晓科 褚应波 戴能利 李进延 Liu Shaokun;He Le;Yin Xiaoke;Chu Yingbo;Dai Nengli;Li Jinyan

作者机构：华中科技大学武汉光电国家研究中心湖北武汉430074 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2024年第51卷第2期

页      面：130-135页

核心收录：

学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(11875139) 

主　　题：光纤光学 锗硅酸盐掺铋光纤 高吸收 E+S波段 放大 

摘      要：目前基于掺铒光纤放大器(EDFA)的光纤通信骨干网络仅能有效利用C+L波段(1524~1625 nm)。在E+S波段,锗硅酸盐掺铋光纤可进一步扩展放大器的增益带宽,具有重要研究价值,但其过长的使用长度严重制约了其应用。报道了一种高吸收锗硅酸盐掺铋光纤,其使用长度得到大大缩短,同时具有高增益。基于前向泵浦结构测试了掺铋光纤的增益性能,泵浦功率和波长分别为367 mW和1310 nm,输入信号总功率为-20 dBm。结果表明,50 m长的光纤在1414~1479 nm实现了大于20 dB的增益,65 m长的光纤的增益在1450 nm处达到最大(33 dB),单位长度增益系数达0.51 dB/m。研究结果证明了锗硅酸盐掺铋光纤在WDM光纤通信网络中的实际应用潜力。