基于半导体集成电路辐射效应的空间辐射环境探测器
Dosimeters based on radiation effects of Si ICs作者机构：中国科学院近代物理研究所甘肃兰州730000
出 版 物：《核电子学与探测技术》 (Nuclear Electronics & Detection Technology)
年 卷 期：2002年第22卷第4期
页 面：374-376页
核心收录：
学科分类：082704[工学-辐射防护及环境保护] 08[工学] 082504[工学-人机与环境工程] 0827[工学-核科学与技术] 0825[工学-航空宇航科学与技术]
基 金：国家自然科学基金 (19775 0 5 8 10 0 75 0 6 4 ) 中国科学院"九五"重大课题 (KJ95 2 - SI-4 2 3)
主 题：半导体集成电路 辐射效应 总剂量效应 单粒子效应 空间环境探测器 空间辐射环境
摘 要：空间辐射环境能够引起半导体集成电路发生的总剂量效应、单粒子效应等辐射效应 ,可以被用来进行空间辐射环境监测。在一定条件下 ,基于此原理的探测器具有常规的面垒型探测器以及 PIN型探测器等所不具备的优点。尤其适合航天器舱内带电离子探测和用于航天医学的个人辐射剂量探测。介绍了三种基于半导体器件辐射效应的探测器。
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