氧化镓单晶在酸碱条件下的腐蚀坑形貌研究

作     者：高崇 韦金汕 欧阳政 何敬晖 王增辉 卜予哲 赛青林 赵鹏 GAO Chong;WEI Jinshan;OUYANG Zheng;HE Jinghui;WANG Zenghui;BU Yuzhe;SAI Qinglin;ZHAO Peng

作者机构：北京中材人工晶体研究院有限公司北京100018 中材人工晶体研究院有限公司北京100018 华南师范大学半导体科学与技术学院广州510631 杭州光学精密机械研究所杭州311421 中材高新材料股份有限公司北京100102 中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2023年第52卷第12期

页      面：2186-2195页

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家重点研发计划(2022YFB3605500) 北京市科技新星计划(20230484381) 

主　　题：氧化镓单晶 导模法 缺陷 腐蚀 腐蚀坑形貌 单晶生长 

摘      要：氧化镓晶体材料由于其优异的性能以及可以用熔体法生长的优势,在功率器件、光电领域有着巨大的潜力。近年来,国内外众多专家也随之开展对氧化镓单晶材料的研究工作,高质量低缺陷的氧化镓单晶材料对后续的外延、器件的制备极其重要。目前,国际上主流的生长方法是导模法,导模法具有生长周期短、尺寸大及生长稳定等优点,然而在晶体缺陷控制方面还有很大的进步空间。本文围绕氧化镓单晶的腐蚀坑形貌,对导模法生长的氧化镓单晶进行加工制样,进行了不同酸碱条件下的腐蚀实验。详细介绍了观察到的不同腐蚀坑形貌,分析了晶体缺陷对腐蚀坑形貌的影响,对今后氧化镓单晶生长机理和晶体缺陷的研究具有重要意义。