一种基于HTCC工艺的高集成度微波前端系统级封装模块

作     者：钟伟 李智鹏 李照荣 曾荣 吕俊材 

作者机构：中国工程物理研究院电子工程研究所 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2023年

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：高温共烧陶瓷 微波前端 基板堆叠 系统级封装 

摘      要：针对微波前端功能密度提升需求，设计了一种基于高温共烧陶瓷（HTCC）多腔堆叠集成结构的小型化前端系统级封装（SiP）模块，实现了收发变频、本振产生、发射放大与调制、中频放大等功能的一体化高密度集成。在各腔中通过植入球栅阵列（BGA）实现HTCC基板的垂直堆叠，有效提升了集成密度，整体尺寸仅为45 mm×45 mm×10 mm。通过研究多级过渡垂直互连结构与模块内电磁耦合特性，实现了射频信号的低损耗互连传输与内部敏感单元间的高电磁隔离，同时热力有限元仿真结果表明该集成形式具备良好的散热与抗机械振动能力。通过试制获得该SiP样机，实测发射功率大于47.7 dBm，接收噪声系数小于3.5 dB，接收链路增益大于85 dB。该技术为微波前端的高密度、高可靠一体集成提供了一条技术途径。