WO_3薄膜材料的气敏性能
GAS SENSING PROPERTIES OF WO_(3) THIN FILMS作者机构：天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室天津300072
出 版 物：《硅酸盐学报》 (Journal of The Chinese Ceramic Society)
年 卷 期：2004年第32卷第9期
页 面：1064-1067页
核心收录：
学科分类：080706[工学-化工过程机械] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理]
基 金：国家基金委重大项目(599955206) 国家自然科学基金(50072014)资助项目
主 题：氧化钨薄膜 铂 无机盐溶胶-凝胶法 氧气敏感 表面修饰
摘 要：研究了WO3薄膜材料的制备工艺、气敏性能和贵金属表面改性。以钨酸为原料、加入有机络合剂的无机盐溶胶凝胶(inorganic solgelmethod,ISG)法合成了WO3薄膜。确定了最佳ISG工艺制度,即以柠檬酸为络合剂,10次成膜,预处理温度为600℃,烧成温度为650℃。实验结果表明:WO3是一种n型半导体,其最佳工作温度为550℃。通过掺杂贵金属制备了Pt/WO3薄膜材料,有效地改善了薄膜的气敏性能,可以在600℃下获得高达4100的灵敏度。WO3的气敏机理为表面控制型。
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