C对Gd_5Si_4磁致冷材料结构和性能的影响

作     者：杜会军 陈云贵 张铁邦 唐永柏 DU Hui-jun;CHEN Yun-gui;ZHANG Tie-bang;TANG Yong-bai

作者机构：四川大学材料科学与工程学院四川成都610065 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2008年第39卷第3期

页      面：374-375,378页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2002AA324010) 

主　　题：磁制冷材料 磁热效应 组织结构 居里温度 磁熵变 

摘      要：以商业蒸馏Gd为原料，采用非自耗电弧炉在氩气保护下熔炼了Gd5Si4Cx（x=0、0．24、0．35、0．5）系列合金，研究了C对Gd5Si4磁致冷合金组织结构与磁热性能的影响。粉末XRD结果表明，Gd5Si4Cx系列合金主相均为正交的Gd5Si4型结构，此外C（x=0．24、0．35、0．5）加入后合金中出现了少量的GdSi相。利用振动样品磁强计测量的合金的磁性能的结果表明，Gd5Si4Cx（x=0、0．24、0．35、0．5）系列舍金的居里温度Tc在344～297K连续可调。在1．5T外加磁场变化时居里温度附近的最大磁熵变分别是2．79、2．47、2．03、1．65J／（kg·K）。