基于电路和版图辅助的集成电路失效定位研究

作     者：陈选龙 邝贤军 陈兰 林晓玲 刘丽媛 CHEN Xuanlong;KUANG Xianjun;CHEN Lan;LIN Xiaoling;LIU Liyuan

作者机构：工业和信息化部电子第五研究所广州511370 中国赛宝实验室可靠性研究分析中心广州511370 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2023年第43卷第5期

页      面：462-466页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：广东省重点领域研发计划资助项目(2022B0701180002) 工业和信息化部电子第五研究所专项基金项目(22Z04)。 

主　　题：失效分析 电路分析 OBIRCH 光发射显微镜 集成电路 

摘      要：EMMI和OBIRCH是通用的集成电路失效定位方法,二者属于器件级定位,能够将失效缩小至局部,但可能无法精确定位失效结构。在EMMI或者OBIRCH技术基础上,提出一种基于电路原理/仿真、版图、微探针测试等来辅助电路分析的定位方法。首先通过有效电激励进行EMMI和OBIRCH分析,确认标记点是否属于失效的功能电路;再通过电路原理分析或版图确定可能的漏电位置和结构,最后经电路仿真或微探针测试等方法确定精确失效点。案例研究结果显示,基于电路和版图辅助法,可快速定位氧化层击穿形成的漏电、金属划伤引起的CMOS反相器负载低阻和金属刻蚀缺陷导致的功能失效,提高了失效分析的成功率。