半绝缘砷化镓光电导开关电极间隙的优化设计
Optimization Method of Design of Semi-insulating GaAs Photoconductive Switch's Gap作者机构：西安理工大学应用物理系西安710048
出 版 物：《高电压技术》 (High Voltage Engineering)
年 卷 期：2003年第29卷第5期
页 面：1-2,10页
核心收录：
学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 0803[工学-光学工程]
基 金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 770 17) 陕西省教育厅产业化培育项目 (批准号 :No.0 1JK2 5 )
主 题：半绝缘砷化镓光电导开关 电极间隙 优化设计 半导体材料
摘 要：通过对不同电极间隙的半绝缘砷化镓光电导开关产生超短电脉冲的对比实验和光电导开关导通机理的分析 ,给出了使半绝缘砷化镓光电导开关获得最大输出功率的开关电极间隙的优化设计方法以及对触发激光光源的选择方法。
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