p-EBL中低Al组分插入层对AlGaN基深紫外LED光电性能的影响

作     者：高一品 刘超 GAO Yipin;LIU Chao

作者机构：山东大学微电子学院济南250100 

出 版 物：《微纳电子与智能制造》 (Micro/nano Electronics and Intelligent Manufacturing)

年 卷 期：2023年第5卷第3期

页      面：29-34页

学科分类：080802[工学-电力系统及其自动化] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 

主　　题：AlGaN DUV LED 插入层 

摘      要：对于AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED),高Al组分的电子阻挡层(EBL)在抑制电子泄露的同时,也不可避免地造成空穴注入效率的严重下降。在本文中,我们研究了EBL中p型掺杂的低Al组分插入层对DUV LED性能的影响,借助APSYS仿真软件对器件的光电性能、能带结构,以及载流子分布进行了系统的分析。结果表明,低Al组分插入层的引入能够降低空穴的有效势垒高度,进而提高空穴的注入效率,改善有源区中载流子的分布。此外,本文还发现p型掺杂的低Al组分插入层在EBL中的相对位置和DUV LED的性能之间有着紧密的联系。