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基于Talbot效应的电光调制位相阵列器

Electro-optic tunable phase array based on Talbot effect

作     者:张进宏 陈云琳 Zhang Jinhong;Chen Yunlin

作者机构:北京交通大学理学院北京100044 

出 版 物:《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期:2014年第43卷第11期

页      面:3724-3728页

核心收录:

学科分类:0808[工学-电气工程] 070207[理学-光学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 07[理学] 08[工学] 0802[工学-机械工程] 0825[工学-航空宇航科学与技术] 0704[理学-天文学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家自然科学基金(61178052) 中央高校基本科研业务费(2011JBM122 2011JBZ013) 

主  题:位相阵列器 Talbot效应 铌酸锂 电光效应 

摘      要:利用周期极化反转的铌酸锂晶体设计与制备圆形周期单元六角结构排列的可调位相阵列器,对位相阵列器的Talbot效应光衍射成像进行理论和实验研究,得到了不同位相差和不同分数Talbot距离条件下阵列器近场衍射的理论仿真和实验观测图像,实验结果与理论研究相符。计算衍射场取样区域内平均强度,获得取样区内强度随位相差和Talbot距离变化的曲线,揭示了位相差和衍射位置对阵列器衍射强度分布的影响。

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