AlGaN基深紫外微型发光二极管的研究进展(特邀)

作     者：刘召强 贾童 许湘钰 楚春双 张勇辉 张紫辉 Liu Zhaoqiang;Jia Tong;Xu Xiangyu;Chu Chunshuang;Zhang Yonghui;Zhang Zihui

作者机构：河北工业大学电子信息工程学院天津300401 河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室天津300401 河北省先进激光技术与装备重点实验室天津300401 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2023年第52卷第8期

页      面：92-110,I0008页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0806[工学-冶金工程] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(62074050,62275073,61975051) 河北省自然科学基金项目(F2020202030)。 

主　　题：AlGaN 深紫外微型发光二极管 调制带宽 光提取效率 

摘      要：随着AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED)的发展,其不仅在杀菌消毒领域得到广泛应用,在日盲紫外光通信领域的应用也受到越来越多的关注。这主要是由于相比其他的紫外光源(如汞灯、激光),其具有功耗低、设计灵活且调制带宽高的优势。而DUV LED的带宽严重依赖于器件尺寸,器件尺寸越小,其带宽越高。但是,随着深紫外微型发光二极管(μLED)的尺寸减少,尽管其带宽得到提高,但是其光功率却急剧下降,这严重限制了深紫外μLED在光通信中的应用。文中主要总结了深紫外μLED作为日盲紫外光通信光源的研究现状和综合分析尺寸效应引起器件性能的变化及其机理;并分析出低的光提取效率和严重的自热效应是影响深紫外μLED光功率的两个主要因素。进而综述了各种提高深紫外μLED光提取效率和改善热学特性的方法。文中将为从事深紫外μLED研究的工作者提供一定的研究方向指导。