ZnO薄膜生长及声表面波性能研究

作     者：罗景庭 钟鑫 朱茂东 古迪 柯鹏飞 刘梓昇 钟增培 范平 Luo Jingting;Zhong Xin;Zhu Maodong;Gu Di;Ke Pengfei;Liu Zisheng;Zhong Zengpei;Fan Ping

作者机构：深圳大学物理科学与技术学院薄膜物理与应用研究所深圳市传感器技术重点实验室深圳518060 

出 版 物：《深圳大学学报（理工版）》 (Journal of Shenzhen University(Science and Engineering))

年 卷 期：2015年第32卷第1期

页      面：17-24页

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51302173) 广东高校优秀青年创新人才培养计划资助项目(2013LYM_0078)~~ 

主　　题：凝聚态物理 ZnO薄膜 ( 1120 ) 择优取向 Love波声表面波器件 机电耦合系数 温度延迟系数 

摘      要：采用传统射频磁控溅射技术,通过引入Si O2缓冲层以及调节工作气压的方法,在Si衬底上制备具有高度(1120)择优取向的Zn O薄膜.采用X射线衍射技术和原子力显微镜分析Zn O薄膜的晶体特性和择优取向.研究发现,引入Si O2缓冲层能显著减小Zn O/Si O2/Si三层结构声表面波器件的温度延迟系数(temperature coefficient of delay,TCD),当Si O2缓冲层厚度为200 nm时,Zn O薄膜同时具有(0002)和(1120)择优取向,且TCD值仅为2×10-6℃-1左右,说明器件温度稳定性佳.当工作气压降低时,Zn O(1120)择优取向增强,相应的声表面波器件的机电耦合系数(K2)也增大.在大机电耦合系数和高温度稳定性的Zn O/Si O2/Si三层结构的基础上,有望制作出高性能的Love波声表面波生物传感器.