具有阶梯型超晶格电子阻挡层和楔形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化

作     者：张傲翔 任炳阳 王芳 刘俊杰 刘玉怀 Zhang Aoxiang;Ren Bingyang;Wang Fang;Liou JuinJ;Liu Yuhuai

作者机构：郑州大学电气与信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心河南省电子材料与系统国际联合实验室河南郑州450001 郑州大学计算机与人工智能学院河南郑州450001 郑州大学智能传感器研究院河南郑州450001 郑州唯独电子科技有限公司河南郑州450001 郑州大学产业技术研究院有限公司河南郑州450001 

出 版 物：《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)

年 卷 期：2023年第60卷第15期

页      面：329-336页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(62174148) 国家重点研发计划(SQ2021YFE010807,2016YFE0118400) 智汇郑州·1125聚才计划(ZZ2018-45) 宁波2025科技创新重大专项(2019B10129) 

主　　题：激光器 深紫外激光二极管 AlGaN 阶梯型超晶格 阻挡层 

摘      要：为了提升深紫外激光二极管(DUV LDs)的载流子注入效率,优化其工作性能,提出了阶梯型超晶格(SSL)电子阻挡层(EBL)和楔形(WS)空穴阻挡层(HBL)结构。使用Crosslight软件分别仿真了具有矩形EBL和HBL、矩形超晶格(RSL)EBL和塔形(TS)HBL以及SSL EBL和WS HBL的DUV LDs。仿真结果表明,SSL EBL和WS HBL更有效地增加了量子阱(QWs)中的载流子注入,减少了非有源区的载流子泄漏,提高了辐射复合率,降低了阈值电压和阈值电流,提高了DUV LDs的输出功率和电光转换效率。