InAs基范德华异质结界面电荷转移特性第一性原理计算的研究进展
Research progress on first-principles calculations of interfacial charge transfer characteristics in InAs-based van der Waals heterojunctions作者机构：南通大学信息科学技术学院江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083
出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)
年 卷 期：2023年第42卷第5期
页 面：666-680页
核心收录：
学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 0702[理学-物理学]
基 金：Supported by the National Natural Science Foundation of China(62074085 and 62104118) Basic Science Research Project of Nantong(JC2021031)
主 题：InAs异质结 范德华堆叠结构 界面电荷转移 第一性原理计算
摘 要：由低维InAs材料和其他二维层状材料堆叠而成的垂直范德华异质结构在纳米电子、光电子和量子信息等新兴领域中应用广泛。探索跨结界面的电荷转移机制对于全面理解该类器件的非凡特性至关重要。第一性原理计算在揭示界面电荷转移特性与各种能量稳定型InAs基范德华异质结的电、光、磁等原理物理特性和器件性能变化之间的内在关系方面发挥着不可比拟的作用。文中梳理、总结和探讨了近年来InAs基范德华异质结间界面电荷转移特性的理论研究工作与潜在的功能应用,提出在理论方法和计算精度方面大力发展第一性原理计算的几个途径,为更好地开展InAs基范德华异质结的基础科学研究和应用器件设计提供可借鉴的量化研究基础。
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