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离子轰击产生湍层氮化硼

Turbostractic Boron Nitride Produced by Ion Bombardment

作     者:王震遐 王玟珉 阮美玲 许浔江 WANG ZhenXia;WANG WenMin;RUAN MeiLing;XU XunJiang

作者机构:中国科学院上海原子核研究所上海201800 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点开放实验室上海201800 

出 版 物:《高能物理与核物理》 (High Energy Physics and Nuclear Physics)

年 卷 期:2000年第24卷第11期

页      面:1055-1059页

核心收录:

学科分类:081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0827[工学-核科学与技术] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0703[理学-化学] 0704[理学-天文学] 070301[理学-无机化学] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家自然科学重点基金!(19735004) 中国科学院基础性研究重点基金!(952-J1-414) 中国科学院上海硅酸盐研究所 

主  题:湍层氮化棚 离子轰击 透射电子显微镜 纳米材料 

摘      要:用高分辨率透射电子显微镜检查了N+2离子轰击后的氮化硼样品.发现在片状六方形氮化硼sp2层的弯折区,有0.35mm晶面间距的湍层氮化硼形成.虽然其形成机制尚不清楚,但是基于束流-固体相互作用观点的讨论可能是了解湍层氮化硼结构生长过程的关键所在.

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