亚皮秒脉冲激光辐照硅薄膜热效应的模拟研究
Simulation Study of Thermal Results of Si Film Irradiated by Sub-picosecond Pulses Laser作者机构：四川大学电子信息学院成都610064
出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)
年 卷 期：2008年第37卷第1期
页 面：6-10页
核心收录：
学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学]
主 题：超短脉冲激光 硅膜 自相关模型 有限差分法 单光子吸收 双光子吸收 俄歇复合
摘 要：基于Boltzmann方程,采用了Chen J K等人建立的自相关模型,考虑了Si薄膜的热容、热导率、弛豫时间等热力学参量随温度非线性变化的影响.采用有限差分法,数值求解了脉宽为500fs的激光脉冲辐照2μm厚硅膜的自相关模型.分析了膜表面载流子浓度、载流子温度、晶格温度等随入射激光功率和脉宽等的变化规律.结果表明:在脉冲辐照初期(t***-2)辐照Si膜,会引起载流子密度方程中的俄歇复合项增大,从而使载流子密度下降率增大,导致载流子温度出现双峰.
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