650℃热基片上制备SmCo基永磁薄膜的内禀矫顽力研究（英文）

作     者：李元勋 彭龙 Li Yuanxun;Peng Long

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054 成都信息工程学院四川成都610225 

出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2015年第44卷第4期

页      面：796-799页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 0806[工学-冶金工程] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：The Scientific Fund for College(ZYGX2011X006) the Fund of Guangdong Province for Research and Industrialization(2010B090400314) 

主　　题：稀土永磁 SmCo薄膜 矫顽力 衬底层 

摘      要：以Al、Cu、Ag、Mo、Cr为衬底层,在650℃热硅基片上制备了未经后退火工艺处理的Sm Co基永磁薄膜,研究了薄膜内禀矫顽力的变化规律。结果表明,采用Mo和Cr作为衬底层可以提高薄膜的内禀矫顽力。Sm Co基永磁薄膜的厚度对内禀矫顽力的影响复杂,当薄膜厚度为3.0μm时,可以获得室温内禀矫顽力的最大值为281.6 k A·m-1。内禀矫顽力的温度依赖关系主要取决于薄膜的相关磁学参数,在25-300℃范围内,内禀矫顽力高于200 k A·m-1。