压敏电阻工艺误差的影响分析

作     者：王婧 雷程 梁庭 冀鹏飞 刘润鹏 WANG Jing;LEI Cheng;LIANG Ting;JI Pengfei;LIU Runpeng

作者机构：中北大学省部共建动态测试技术国家重点实验室山西太原030051 

出 版 物：《仪表技术与传感器》 (Instrument Technique and Sensor)

年 卷 期：2023年第7期

页      面：8-11,16页

学科分类：080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 0802[工学-机械工程] 

基　　金：山西省重点研发计划项目(202102030201001 202102030201009) 

主　　题：压力传感器 压敏电阻 MEMS 工艺误差 灵敏度 

摘      要：为了解决由于压敏电阻工艺过程中的工艺误差导致压力传感器输出灵敏度和输出量程产生偏差的问题,通过定位压敏芯片在工艺过程中产生误差的工艺步骤,分析相关步骤的误差对器件性能的影响。利用共聚焦显微镜、扫描电子显微镜等设备对欧姆接触区扩散开孔、DRIE刻蚀压敏电阻以及背腔刻蚀3个工艺步骤中引入的误差进行分析,分析结果表明前两个步骤引入的误差主要表现为电阻值的缩小,使得输出电压偏差最大达到8.24%,而背腔刻蚀引入的误差主要表现在电阻变化率上,使得输出电压偏差最大达到5%。在制备压敏电阻过程中可以通过控制这3个步骤的工艺精度来解决引入的工艺误差,从而提高器件的稳定性。