一种高频高性能宽带混频器芯片的设计
Design of A Broadband and High-Performance Mixer MMIC作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051
出 版 物：《通信电源技术》 (Telecom Power Technology)
年 卷 期：2023年第40卷第8期
页 面：59-61,66页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080902[工学-电路与系统] 08[工学]
摘 要：采用GaAs肖特基二极管工艺,设计研发了一款宽带高性能的双平衡无源混频器芯片。该混频器采用环形二极管和新型巴伦结构,获得了良好的变频损耗与高隔离度指标,大大减小了芯片面积,大幅提高了线性度和杂散抑制能力。其射频频率和本振频率覆盖15~40 GHz,中频频率覆盖DC-18 GHz,本振到射频隔离度高达50 dB以上,提高了M×N次组合杂散的抑制度,尺寸仅0.6 mm×1.0 mm,可以广泛用于微波收发系统的小型化设计。
维普期刊数据库