用于光放大的掺铒GaO波导研究
出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)
年 卷 期：2023年
核心收录：
学科分类：0810[工学-信息与通信工程] 081702[工学-化学工艺] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术]
基 金：国家重点研发计划(No.2020YFB1805900) 浙江省宁波市3315创新团队
主 题：光学特性 掺铒波导 射频磁控溅射 Ga O 干法刻蚀
摘 要：利用射频磁控溅射法制备了掺铒Ga2O3薄膜，研究了不同氧化铒靶溅射功率和不同退火温度下薄膜的发光特性，发现在氧化铒靶溅射功率为40 W以及退火温度达到600℃时薄膜显示出良好的光致发光强度。为了有效避免直接蚀刻掺铒薄膜层导致的表面粗糙等问题，设计了沟道型以及脊型掺铒Ga2O3薄膜波导结构，并使用紫外光刻和等离子蚀刻技术制备相应的平面波导，使用截断法测得4μm宽的掺铒Ga2O3波导在1 310 nm处的光学损耗最小为1.26 dB/cm。实验结果表明掺铒Ga2O3波导作为片上光学放大器件具有良好的应用前景。
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