2.79μm中红外激光对CMOS图像传感器的辐照效应研究

作     者：王玺 赵楠翔 张永宁 王毕艺 董骁 邹岩 雷武虎 胡以华 Wang Xi;Zhao Nanxiang;Zhang Yongning;Wang Biyi;Dong Xiao;Zou Yan;Lei Wuhu;Hu Yihua

作者机构：国防科技大学电子对抗学院脉冲功率激光技术国家重点实验室安徽合肥230037 国防科技大学电子对抗学院先进激光技术安徽省实验室安徽合肥230037 电磁空间安全全国重点实验室天津300308 北京航天控制仪器研究所北京100094 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2023年第52卷第6期

页      面：386-392页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国防科技创新特区项目(22TQ2307ZD01001) 国防基础科研计划(JCKY2023230C010) 国防科技大学自主创新科学基金(22-ZZCX-007) 脉冲功率激光技术国家重点实验室基金(SKL2022ZR10) 先进激光技术安徽省实验室基金(AHL2021ZR04) 

主　　题：中红外激光 辐照效应 CMOS图像传感器 损伤阈值 

摘      要：研究中红外波段激光对CMOS图像传感器的辐照效应,对探索空间态势感知系统光学成像器件的激光干扰和损伤条件具有重要军事意义。开展了不同重频下2.79μm中红外激光对CMOS图像传感器的干扰与损伤实验。观察到CMOS图像传感器的饱和、过饱和以及损伤产生的绿屏、彩色条纹、黑屏、亮线等一系列干扰损伤现象。同时测量了传感器各种辐照现象相对应的2.79μm中红外激光干扰损伤阈值,研究了图像传感器辐照效应与激光重频之间的内在关系,分析了2.79μm中红外激光对CMOS图像传感器的干扰损伤机理。研究表明,CMOS图像传感器的激光损伤主要以材料的热熔融为主,热效应明显。在激光重频10 Hz的辐照下,饱和干扰阈值为0.44 J/cm^(2)、过饱和阈值为0.97 J/cm^(2)、损伤阈值为203.71 J/cm^(2)。研究表明CMOS图像传感器具有很好的抗干扰和抗损伤能力,实验测得的相关阈值数据在空间激光攻防领域具有重要的参考价值。