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界面种子层修饰策略制备高性能CsPbIBr_(2)光电探测器

Preparation of High-Performance CsPbIBr_(2) Photodetector via Interfacial Seed Layer Modification Strategy

作     者:舒鑫 鹿颖申 张子发 康家兴 袁翔 洪峰 徐闰 马忠权 徐飞 Shu Xin;Lu Yingshen;Zhang Zifa;Kang Jiaxing;Yuan Xiang;Hong Feng;Xu Run;Ma Zhongquan;Xu Fei

作者机构:上海大学物理系上海市高温超导重点实验室上海200444 上海大学(浙江)高端装备基础件材料研究院浙江嘉善314113 上海大学电子信息材料系上海200444 

出 版 物:《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期:2023年第43卷第14期

页      面:32-39页

核心收录:

学科分类:08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0703[理学-化学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家自然科学基金(12175131 61874070 61874027 11527805 11905133) 

主  题:探测器 二极管型光电探测器 界面种子层 大气环境 气动喷涂 

摘      要:在相对湿度低于90%(90%RH)的大气环境下,通过界面种子层修饰策略,利用气动喷涂法制备出高结晶度、界面接触良好、结构稳定的CsPbIBr_(2)厚膜。界面种子层的引入对CsPbIBr_(2)厚膜的光学带隙(2.10~2.12 eV)没有太大的影响,但明显增强了其对光的吸收和发射,并且荧光寿命也明显延长(从0.95 ns到4.49 ns)。由此厚膜制备的二极管型光电探测器(p-n CsPbIBr_(2)-ITO)具有非常低的暗电流(5.70×10^(-10)A),并且展示出高效的光电探测性能:高开关比(1.8×10^(4))以及微秒级别的响应时间(上升时间和下降时间分别为9μs、13μs)。当未封装的CsPbIBr_(2)光电探测器处在90%RH的大气环境下,其表现出强的抗水抗氧能力:储存60 d后,其仍能保持初始开关比的83%。所提方法为在大气环境下制备低成本、高性能、长效稳定的二极管型CsPbIBr_(2)光电探测器提供了一种有效的途径。

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