基于准垂直结构GaN肖特基二极管的S波段限幅器研究

作     者：邓世雄 刘继斌 刘培国 高长征 康玄武 DENG Shi-xiong;LIU Ji-bin;LIU Pei-guo;GAO Chang-zheng;KANG Xuan-wu

作者机构：国防科技大学电子科学学院长沙410073 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 中国科学院微电子研究所北京100029 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2023年第39卷第3期

页      面：51-54页

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

主　　题：高功率微波 GaN 肖特基二极管 限幅器 

摘      要：当今高功率微波技术发展迅速,电子设备所面临的威胁巨大。GaN肖特基二极管具有较小的开启电压和较高的击穿电压,特别适用于大功率整流电路。文章介绍了一种基于准垂直结构GaN肖特基二极管整流的高功率微波限幅器。测试结果表明,该限幅器在2~4 GHz频带内,可承受脉宽10μs、占空比1%、峰值超过1000 W的功率;其小信号插损小于1 dB,输入输出驻波比小于1.5。该限幅器插损小、耐功率高,可广泛应用于接收机中以提升其可靠性。