负离子中子管的良率稳定性实验

作     者：陆杰 周晓华 岳爱忠 闫星泉 刘洋 柴鑫 LU Jie;ZHOU Xiaohua;YUE Aizhong;YAN Xingquan;LIU Yang;CHAI Xin

作者机构：西安奥华电子仪器股份有限公司西安市可控源装备工程技术研究中心陕西710100 陕西省可控中子源应用技术国际联合研究中心西京学院陕西710123 中国石油测井集团有限公司测井技术研究院陕西710077 西安冠能中子探测技术有限公司陕西710123 

出 版 物：《电子技术（上海）》 (Electronic Technology)

年 卷 期：2023年第52卷第5期

页      面：46-48页

学科分类：08[工学] 082701[工学-核能科学与工程] 0827[工学-核科学与技术] 

基　　金：中国石油天然气集团有限公司关键核心技术攻关项目(2020B-3714) 电子元器件可靠性物理及应用技术重点实验室开放基金项目(ZHD201701) 

主　　题：中子管 负离子中子管 离子源 中子产额 

摘      要：阐述正离子中子管存在二次电子发射率高,束流单原子离子比例低的问题。若采用负离子引出则可避免上述问题。设计了一款采用潘宁离子源负离子引出打靶的中子管,在90kV的靶压下,实现了最大16μA的引出束流,中子产额最高达到1.32×108n/s。利用3支中子管分别进行4h的连续打靶,实验表明,开始时产额随打靶时间缓慢上升,在130min左右产额达到最大值,随后开始缓慢下降。整个过程中的中子产额始终稳定在1.15×108n/s以上,理论分析表明其靶流中电子占比约为70%,而氘负离子占比约为30%。