扶手椅型C_(3)B纳米带:结构稳定性、电子特性及调控效应
Structural stability,electronic properties,and physical modulation effects of armchair-edged C_(3)B nanoribbons作者机构：长沙理工大学柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室长沙410114
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2023年第72卷第11期
页 面：275-287页
核心收录：
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:61771076) 柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室开放基金(批准号:202020) 湖南省研究生创新项目(批准号:CX20210823)资助的课题
主 题：C3B纳米带 结构稳定性 电子性质 载流子迁移率 物理调控
摘 要：单层C_(3)B是典型的类石墨烯二维材料,已在实验上成功制备.采用密度泛函理论方法(DFT)研究了扶手椅型单层C_(3)B纳米带的结构稳定性、电子性质及物理调控效应,计算结果表明:对于裸边纳米带,如果带边缘全由C原子组成(AA型),则电子相为半导体;两个带边缘均由C与B原子混合组成时(BB型),则纳米带的电子相为金属;而纳米带的一边由C原子组成、另一边由B与C原子混合构成(AB型),则纳米带的电子相为金属.这说明纳米带边缘的B原子对于纳米带成为金属或半导体起决定作用.而对于H端接的纳米带,它们全部为直接或间接带隙半导体.H端接的纳米带载流子迁移率一般比裸边纳米带低,这与它们较大的有效质量及较高的形变势有密切关系.同时发现半导体性质的纳米带对物理调控非常敏感,特别是在压应变和外电场作用下,纳米带的带隙明显变小,这有利于对光能的吸收和研发光学器件.
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