HiPIMS沉积光电薄膜研究进展:放电特性和参数调控
Research Progress on Optoelectronic Thin Films Deposited by HiPIMS:Discharge Characteristics and Parameter Adjustment作者机构:北京印刷学院等离子体物理与材料实验室北京102600
出 版 物:《中国表面工程》 (China Surface Engineering)
年 卷 期:2022年第35卷第5期
页 面:93-104页
核心收录:
学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)]
基 金:北京市自然科学基金(1192008) 北京市教委科技项目(KM202010015003,22150122029)资助项目
主 题:高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS) 光电薄膜 等离子体 放电特性 参数调控
摘 要:高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术具有离化率高、等离子体密度高、沉积温度低、薄膜结构致密等优点,与沉积超硬耐磨涂层相比,HiPIMS技术在光电薄膜沉积中的应用相对较少,且HiPIMS镀膜过程中涉及工艺参数较多,工艺参数的选择直接影响着沉积薄膜的结构和性能。基于这两个问题,系统梳理HiPIMS在光电薄膜沉积中放电的时空演变特性,重点介绍HiPIMS技术在光电薄膜沉积过程中的关键工艺参数,包括峰值功率密度、衬底材料、掺杂、偏置电压等,对薄膜结构和性能的影响规律,最后展望HiPIMS技术在光电薄膜沉积中的应用前景与发展趋势。