SiO_(2)-SiN_(x)体系光学谐振腔中Ti超导薄膜特性的研究

作     者：刘海燕 孙潇莹 李劲劲 王雪深 陈建 高鹤 周哲海 徐骁龙 LIU Hai-yan;SUN Xiao-ying;LI Jing-jing;WANG Xue-shen;CHEN Jian;GAO He;ZHOU Zhe-hai;XU Xiao-long

作者机构：北京信息科技大学机械行业现代光电测试技术重点实验室北京100192 中国计量科学研究院北京100029 沈阳化工大学辽宁沈阳110142 

出 版 物：《计量学报》 (Acta Metrologica Sinica)

年 卷 期：2023年第44卷第4期

页      面：549-554页

学科分类：08[工学] 0804[工学-仪器科学与技术] 080402[工学-测试计量技术及仪器] 

基　　金：国家自然科学基金青年科学基金(61901432,61701470) 国家市场监督管理总局科技计划(2020MK153,2019MK112) 中国计量科学研究院基本科研业务费重点领域项目(AKYZD1903) 北京长城学者支持计划(CIT&TCD20190323) 北京青年拔尖人才支持计划(Z2019042)。 

主　　题：计量学 TES 超导薄膜 光学谐振腔 SiO_(2)-SiN_(x)体系 Ti膜 

摘      要：设计良好的光学谐振腔是提高超导转变边沿传感器(TES)光学效率的有效手段,光学谐振腔结构厚度的变化,不仅对TES的光学效率有影响,而且会产生不同的残余应力进而影响TES的超导特性。研究了以超导Ti膜为TES功能层材料,同时选用SiO_(2)-SiN_(x)体系作为光学谐振腔薄膜。通过对数值仿真,确定了SiO_(2)-SiN_(x)体系光学谐振腔薄膜厚度变化对Ti-TES光学吸收效率的影响。分析了SiO_(2)-SiN_(x)体系光学谐振腔不同薄膜厚度的变化自身应力随之变化的趋势,最后制备了不同厚度SiO_(2)-SiN_(x)光学谐振腔的TES,并进行光学吸收效率的测试,验证了SiO_(2)-SiN_(x)体系光学谐振腔薄膜厚度对Ti-TES光学吸收效率变化的规律。