电池保护电路中MOSFET器件常见失效机理研究
Research on the Common Failure Mechanisms of MOSFET Devices in Battery Protection作者机构：工业和信息化部电子第五研究所广东广州511370
出 版 物：《电子产品可靠性与环境试验》 (Electronic Product Reliability and Environmental Testing)
年 卷 期：2023年第41卷第2期
页 面：21-27页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：电池保护电路 金属氧化物半导体场效应晶体管 晶圆级芯片规模封装 失效分析 失效定位
摘 要：受限于电子设备的内部空间,电池保护电路中MOSFET器件通常采用晶圆级芯片规模封装(WLC-SP)。由于WLCSP的特点,电池保护电路中的MOSFET器件在生产、使用中会出现各种类型的失效模式和失效机理。介绍了采用WLCSP技术封装的MOSFET器件常用的分析方法与设备,结合相关的失效案例,论述了芯片开裂、芯片工艺缺陷、芯片腐蚀和过电应力这4种常见的失效机理,为MOSFET器件及其他电子元器件的失效分析和问题解决提供一定的参考。
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