KTN薄膜脉冲激光沉积过程的机理研究
STUDY ON THE MECHANISM OF THE DEPOSITON PROCESS OF KTN THIN FILM BY PULSED LASER作者机构：华中科技大学(主校区)物理系武汉430074 襄樊学院物理系襄樊441053
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2001年第50卷第10期
页 面：1950-1955页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：华中理工大学激光技术国家重点实验室 湖北省教育厅重大科研项目 (批准号 :2 0 0 0B5 0 0 2 )资助的课题
主 题：脉冲激光沉积过程 PLD技术 烧蚀率 等离子体 KTN薄膜 空间运动特性方程
摘 要：根据能量平衡原理 ,导出了脉冲激光作用靶材的烧蚀率公式 ,并根据流体动力学理论 ,得出了脉冲激光产生的等离子体的空间运动特性方程 ,将靶材烧蚀率公式与等离子体空间动力学方程结合起来 ,根据实验研究了不同激光功率密度和波长对KTa0 6 5Nb0 .35O3(KTN)薄膜沉积特性的影响 ,得到了一些有价值的结果 ,并对结果进行了详细的讨论 ,理论计算结果与实验大体符合 .
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