原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响

作     者：孔令德 方辉 魏虹 刘礼 周润生 铁筱滢 杨文运 姬荣斌 KONG Ling-de;FANG Hui;WEI Hong;LIU Li;ZHOU Ruan-sheng;TIE Xiao-ying;YANG Wen-yun;JI Rong-bin

作者机构：昆明物理研究所云南昆明650223 北方广微科技有限公司北京100089 

出 版 物：《红外技术》 (Infrared Technology)

年 卷 期：2015年第37卷第4期

页      面：319-322页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

主　　题：离子束溅射沉积 SiOx/VOx双层膜 残余气体分析仪(RGA) 电阻温度系数(TCR) 

摘      要：氧化硅(SiOx)原位钝化层对氧化钒(VOx)薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性,提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数(TCR)稳定性。采用离子束溅射沉积50 nm VOx薄膜后,紧接着沉积30 nm SiOx钝化层。通过原位残余气体分析仪(RGA)和衬底温度控制,调节氧化钒薄膜中的氧含量,分析了VOx单层膜、SiOx/VOx双层膜的电学特性随工艺温度的变化规律,原位残余气体分析仪(RGA)和150℃加温工艺提高了VOx热敏层薄膜的方阻和电阻温度系数稳定性。