大容量DRAM的刷新开销问题及优化技术综述

作     者：崔泽汉 陈明宇 Cui Zehan;Chen Mingyu

作者机构：计算机体系结构国家重点实验室(中国科学院计算技术研究所)北京100190 中国科学院大学北京100049 

出 版 物：《计算机研究与发展》 (Journal of Computer Research and Development)

年 卷 期：2016年第53卷第2期

页      面：416-430页

核心收录：

学科分类：08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金项目(61221062 61272132 61331008) 国家"九七三"重点基础研究发展计划基金项目(2011CB302502) 中国科学院战略性先导专项课题(XDA06010401)~~ 

主　　题：主存 动态随机存储器 刷新 性能 功耗 保持时间 不必要刷新 

摘      要：动态随机存储器(DRAM)具有速度快、密度高、成本低的优势,被广泛应用于计算机的主存.DRAM采用电容作为存储单元,电容电荷的多少表示数字0或1.由于存在漏电现象,电容里的电荷会缓慢流失,造成数据丢失.为保证数据正确性,DRAM采用周期性的刷新操作,在数据丢失前,把数据读出然后重新写入存储单元.刷新操作会阻碍正常访存的执行,造成性能上的开销;同时刷新操作会消耗额外的功耗,带来功耗上的开销.刷新的开销与DRAM密度相关:在过去,当DRAM密度较小时,需要刷新的存储单元数较少,刷新开销很小,并未引起关注;但是,随着摩尔定律的发展,DRAM密度越来越大,目前已发展到千兆比特级别,其刷新周期并没有改善,单位时间内需要刷新的存储单元数越来越多,从而使刷新带来的性能和功耗开销越来越严重.刷新问题目前得到了工业界和学术界的广泛关注.首先介绍了目前DRAM的刷新方式和开销,以及工业界已经实现的一些改进;然后把工业界和学术界提出的众多优化方法分为减轻刷新操作对访存的阻塞和减少不必要的刷新操作两大类,分别进行了分析和总结;最后给出了关于智能刷新管理的总结和展望.