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PDP列驱动芯片能量恢复效率模型

Models for energy recovery efficiency of PDP data driver IC

作     者:华国环 刘清惓 HUA Guo-huan;LIU Qing-quan

作者机构:南京信息工程大学电子与信息工程学院江苏南京210044 

出 版 物:《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期:2014年第29卷第6期

页      面:989-996页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 

基  金:国家公益性行业科研专项(No.GYHY201306079) 国家自然科学基金(No.41275042) 江苏高校优势学科建设工程资助项目 南京信息工程大学科研基金(No.2013X046) 

主  题:分析模型 PDP列驱动芯片 DPLD管 寻址功耗 能量恢复效率 

摘      要:为了分析PDP列驱动芯片的能量恢复效率,提出了2种分析模型。DPLD(double-channel p-type lateral extended drain MOS)管是列驱动芯片中能量恢复电路的核心元器件。CRC(电容-电阻-电容)等效电路模型适用于漏电流能力较弱的DPLD管;VCCS(压控电流源)模型适用于漏电流能力较强的DPLD管;测试结果显示CRC和VCCS模型都具备较高的精度,模型误差分别是2.26%和4.04%。CRC模型揭示了影响列驱动芯片能量恢复效率的因素有3个,分别是:充电时间、沟道电阻、负载电容。2种模型分析的对比结果表明,沟道电阻对列驱动芯片的能量恢复效率影响很大,使用较小沟道电阻的DPLD管可以显著提高PDP列驱动芯片的能量恢复效率。CRC和VCCS模型可用于精确预测列驱动芯片的能量恢复效率。

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