烧成温度对SiC多孔陶瓷的影响

作     者：张锐 符水龙 卢红霞 许红亮 刘俊峰 赵宏伟 Zhang Rui;Fu Shuilong;Lu Hongxia;Xu Hongliang;Liu Junfeng;Zhao Hongwei

作者机构：郑州大学(北区)材料科学与工程系450002 郑州市绿文广场管理处450006 安徽省宿州市建材局 

出 版 物：《硅酸盐通报》 (Bulletin of the Chinese Ceramic Society)

年 卷 期：2000年第19卷第5期

页      面：40-43页

核心收录：

学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：河南省模具 材料工程及装备重点实验室基金 

主　　题：碳化硅 多孔陶瓷 烧成温度 强度 粘度 晶界相 

摘      要：选用SiC作为骨料 ,低熔点陶瓷结合剂和活性C作为成孔剂 ,对不同的烧成温度下多孔陶瓷的基本性能进行了研究。温度的提高使SiC多孔陶瓷的气孔率增大 ,气孔形状逐渐呈不规则变化 ,晶界玻璃相对SiC颗粒的润湿以及在SiC颗粒表面的扩展作用增强 ,提高了对骨料颗粒的粘结作用 ,使瓷体强度提高 ,但晶界玻璃相自身结合强度降低 ;气孔通道在 1 2 40℃烧成温度下多为贯通型 ,1 2 80℃呈网状分布 ,1 32 0℃下多为贯通型且存在大量交联通道 ;大于 1 30 0℃烧成时 ,由于SiC的高温氧化产物参与晶界相反应 ,使局部界面结合强度大大提高 ,出现SiC颗粒拔出断裂现象。