核壳结构SiC/SiO_2 纳米线的低温合成与表征

作     者：赵春荣 杨娟玉 丁海洋 卢世刚 

作者机构：北京有色金属研究总院北京100088 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：2013年第28卷第9期

页      面：971-976页

核心收录：

学科分类：081702[工学-化学工艺] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 

基　　金：国家863计划(2012AA110102) 国家自然科学基金(51004016 51004017)~~ 

主　　题：SiC SiO2核壳结构纳米线 碳热还原 酚醛树脂 光致发光 

摘      要：以酚醛树脂(PF)作为碳源,纳米SiO2为硅源,在1300℃氩气气氛下通过碳热还原反应,制备出具有核壳结构的SiC/SiO2纳米线。采用X射线分析衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、拉曼光谱(Raman)对产物的组成、形貌、微观结构等进行了表征。结果表明;SiC/SiO2纳米线长可达数毫米,单根SiC/SiO2纳米线由直径30 nm的β-SiC晶体为内核和厚度约12 nm的无定形SiO2壳层组成;室温下SiC/SiO2纳米线的PL发光峰与β-SiC单晶的发光特征峰相比有蓝移。最后,讨论了核壳结构SiC/SiO2纳米线的生成机制。