退火过程对硅锭热应力与位错影响的数值分析
NUMERICAL ANALYSIS OF EFFECT OF ANNEALING PROCESS ON THERMAL STRESSES AND DISLOCATIONS IN SILICON INGOTS作者机构:宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室银川750021
出 版 物:《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)
年 卷 期:2023年第44卷第1期
页 面:1-7页
核心收录:
学科分类:07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0702[理学-物理学]
摘 要:利用CGSim软件对定向凝固多晶硅从长晶过程开始到退火过程结束进行瞬态数值模拟,研究不同退火温度和退火时间对多晶硅锭内热应力及位错密度的影响。通过软件中热弹性应力非稳态模型(Haasen-Alexander-Sumino模型)计算出位错和Von-Mises应力。结果表明:随着退火温度的升高和退火时间的增加,热应力及位错增殖速率的逐渐减小,在退火1 h后热应力和位错增殖速率大幅减小,退火3 h后减小效果减弱。高温退火时热应力和位错密度低于低温退火,在1250℃下退火3 h是比较合适的方案。