AlGaN基深紫外LED电子阻挡层的智能优化设计

作     者：冯丽雅 路慧敏 朱一帆 陈毅勇 于彤军 王建萍 Feng Li-Ya;Lu Hui-Min;Zhu Yi-Fan;Chen Yi-Yong;Yu Tong-Jun;Wang Jian-Ping

作者机构：北京科技大学计算机与通信工程学院北京100083 北京大学物理学院人工微结构物理和介观物理国家重点实验室北京100081 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2023年第72卷第4期

页      面：293-302页

核心收录：

学科分类：08[工学] 081104[工学-模式识别与智能系统] 0806[工学-冶金工程] 0803[工学-光学工程] 0811[工学-控制科学与工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:62234003) 广东省基础与应用基础研究基金(批准号:2021B1515120086) 佛山市人民政府科技创新专项资金(批准号:BK20BF013)资助的课题。 

主　　题：深紫外LED 内量子效率 智能优化算法 电子泄漏 

摘      要：为了提高AlGaN基深紫外发光二极管(light emitting diode,LED)的内量子效率(internal quantum efficiency,IQE),本文采用了基于InAlGaN/AlGaN超晶格的电子阻挡层(electron blocking layer,EBL)结构,结果表明与传统的单层和双层电子阻挡层结构相比,超晶格EBL结构能够有效提高LED的内量子效率.在此基础上,本文提出了基于JAYA智能算法的LED结构优化方法,应用该方法以最大化内量子效率为目标,对InAlGaN/AlGaN超晶格EBL结构进行优化设计.结果表明,采用优化超晶格EBL结构后电子泄露和空穴注入问题都有所改善,在200 mA电流注入时深紫外LED的内量子效率比采用单层结构EBL提高了41.2%.